珠寶照明廠家為您簡單介紹LED的發(fā)展歷史

珠寶照明廠家為您簡單介紹半導體P-N結發(fā)光現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)，可追溯到上世紀二十年代。法國科學家O.W.Lossow在研究SiC檢波器時，首先觀察到了這種發(fā)光現(xiàn)象。由于當時在材料制備、器件工藝技術上的限制，這一重要發(fā)現(xiàn)沒有被迅速利用。直至四十年后，隨著Ⅲ-Ⅴ族材料與器件工藝的進步，人們終于研制成功了具有實用價值的發(fā)射紅光的GaAsP發(fā)光二級管，并被GE公司大量生產用作儀器表指示。此后，由于GaAs、Gap等材料研究與器件工藝的進一步發(fā)展，除深紅色的LED外，包括橙、黃、黃綠等各種色光的LED器件也大量涌現(xiàn)于市場。

出于多種原因，Gap、GaAsP等LED器件的發(fā)光效率很低，光強通常在10mcd以下，只能用作室內顯示之用。雖然AlGaAs材料進入間接躍進型區(qū)域，發(fā)光效率迅速下降。跟隨著半導體材料及器件工藝的進步，特別是MOCVD等外延工藝的日益成熟，至上世紀九十年代初，日本日亞化學公司（Nichia）與美國的克雷（Cree）公司通過MOCVD技術分別在藍寶石與SiC襯底上生長成功了具有器件結構的GaN基LED外延片，并制造了亮度很高的藍、綠及紫光LED器件。

超高亮度LED器件的出現(xiàn)，為LED應用領域的拓展開辟了極為絢麗的前景。首先是亮度提高使LED器件的應用于從室內走向室外。即使在很強的陽光下，這類cd級的LED管仍能熠熠發(fā)亮，色彩斑斕。目前已大量應用于室外大屏幕顯示、汽車狀態(tài)指示、交通信號燈、LCD背光與通用照明領域。超高亮LED的第二個特征是發(fā)光波長的擴展，InGaAlP器件的出現(xiàn)使發(fā)光波段向短波擴展到570nm的黃綠光區(qū)域，而GaN基器件更使發(fā)光波長短擴至綠、藍、紫波段。如此，LED器件不但使世界變得多彩，更有意義的是使固態(tài)白色照明光源的制造成為可能。與常規(guī)光源相比，LED器件是冷光源，具有很長的壽命與很小的功耗。其次，LED器件還具有體積小，堅固耐用，工作電壓低，響應快，便于與計算機相聯(lián)等優(yōu)點。統(tǒng)計表明，在二十世紀的最后五年內，高亮LED產品的應用市場一直保持著40%以上的增長率。隨著世界經濟的復蘇以及白色照明光源項目的啟動，相信LED的生產與應用會迎來一個更大的高潮。

珠寶照明也是同led的“陪同”下一步步在挫折中前進，在前進中備受挫折的過程中循序漸進，這也讓珠寶照明和led行業(yè)在不斷的進步和發(fā)展的必然途徑。